Bachelor-/Masterarbeit - Korrelation lokaler Gitterspannungen mit der Mikrostruktur von Defekten in AIN-Kristallen und -Wafern

☞ Fraunhofer-Gesellschaft

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Jour de mise à jour: 24-10-2024

Localisation: Erlangen Bavaria

Catégorie: R & D Haute technologie Énergie Production/Opération Btp Construction civile Electrique / Electronique À temps partiel

Industrie: Gemeinnützige Organisationen NGOs

Type d’emploi: Teilzeit

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le contenu du travail

Das 1985 gegründete Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB ist eines von 72 Instituten der Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Das Fraunhofer IISB mit seinen derzeit 420 Mitarbeitenden entwickelt gemeinsam mit Partnern aus Industrie und Wissenschaft neue Prozesse, Materialien, Fertigungsgeräte und -verfahren der Halbleitertechnologie für die Mikro- und Nanoelektronik, von der Kristallzüchtung bis zum Bauelement. Zweiter Schwerpunkt ist die Entwicklung leistungselektronischer Bauelemente und leistungselektronischer Systeme für Energieeffizienz, Hybrid- und Elektroautomobile. Dabei bietet das Fraunhofer IISB engagierten Wissenschaftlerinnen und Wissenschaftlern anspruchsvolle Aufgaben mit Verantwortung und Gestaltungsspielraum. Neben seinem Hauptsitz in Erlangen hat das Fraunhofer IISB einen weiteren Standort in Freiberg.

In der Abteilung Materialien beschäftigen wir uns unter anderem mit der Züchtung und dem Wafering von AlN-Kristallen für die Leistungselektronik. Typische Kristalldefekte, die sich negativ auf leistungselektronische Bauelemente auswirken, sind Versetzungen. Diese induzieren ein über viele Mikrometer ausgedehntes mechanisches Spannungsfeld im Kristallgitter, sodass nicht nur die Versetzungslinie selbst, sondern auch die mikroskopische Nachbarschaft unerwünschte Materialeigenschaften aufweist. Eine Charakterisierung beider Gesichtspunkte, d.h. Versetzungen und Spannungsfelder, ist daher von großer Bedeutung und Bestandteil der Bachelor-/Masterarbeit.

Die Aufgabenschwerpunkte sind:
  • Erlernung des Verfahrens der Spannungsdoppelbrechung und Kennenlernen von Röntgentopographie (XRT) und defektselektivem Ätzen (DSE)
  • Quantifizierung von Versetzungsdichte und Versetzungstypen mittels DSE
  • Selbstständige Durchführung von Spannungsdoppelbrechungsmessungen und Korrelation mit den Ergebnissen aus XRT und DSE
  • Theoretische Analyse der Messdaten und Modellbildung

Was Sie mitbringen

Voraussetzung ist, dass Sie Student*in der Fachrichtung Physik, Kristallographie, Werkstoffwissenschaften, Nanotechnologie, Geowissenschaften oder eines vergleichbaren Studiengangs sind. Sie besitzen grundlegende Kenntnisse im Bereich der Röntgenbeugung sowie der Struktur, Eigenschaften und Defekte von Halbleitern. Wünschenswert sind Erfahrungen in der experimentellen Charakterisierung von Halbleitern.
Selbstständigkeit, Eigenverantwortung, Motivation und eine strukturierte, teamorientierte Arbeitsweise werden vorausgesetzt.

Was Sie erwarten können

Sie lernen bei uns neue Materialien und herausfordernde Verfahren kennen mit denen sie die Lerninhalte ihres Studiums praktisch erweitern oder vertiefen können und viele nette Kollegen mit denen sie direkt zusammenarbeiten.
Sie erhalten durch Ihre Tätigkeit einen Einblick in den betrieblichen Arbeitsschutz.
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Date limite: 08-12-2024

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